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题名:
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IGBT理论与设计 [ 专著] IGBT li lun yu she ji / (印)维诺德·库马尔·卡纳(Vinod Kumar Khanna)著 , 杨兵，康玄武，王杨译 |
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ISBN:
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978-7-111-66352-2 价格： CNY159.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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16,413页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2020 |
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内容提要:
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本书首先对不同类型的IGBT工作原理进行了介绍，然后从IGBT的结构出发，给出了IGBT中MOS结构和双极型结构的工作原理，接下来说明了它们如何影响IGBT的正向传导特性，研究了IGBT模型，包括静态、动态和电热行为，讨论了IGBT中的门锁效应，以及预防门锁的详细处理方法。借助计算机辅助设计工具研究了IGBT单元的设计技术，从结构、掺杂分布、沟道长度、跨导和正向压降、导通和开关损耗、单元布图和间距，以及缓冲层优化，直至场环和场板终端设计等。 |
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主题词:
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绝缘栅场效应晶体管 研究 |
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中图分类法:
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TN386 版次： 5 |
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主要责任者:
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卡纳 ka na 著 |
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次要责任者:
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杨兵 yang bing 译 |
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次要责任者:
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康玄武 kang xuan wu 译 |
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次要责任者:
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王杨 wang yang 译 |