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题名:
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CMOS及其他先导技术 / (美)刘金, 科林·库恩著 , 雷鑑铭[等]译 |
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ISBN:
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978-7-111-59391-1 价格： CNY99.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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329页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2018 |
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内容提要:
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本书概述现代CMOS晶体管的技术发展, 提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。本书共四部分。第一部分回顾了芯片设计的注意事项并且基准化了许多替代性的开关器件, 重点论述了具有更陡峭亚阈值摆幅的器件。第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计。第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件。第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。 |
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主题词:
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CMOS电路 电路设计 |
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中图分类法:
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TN432.02 版次： 5 |
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其它题名:
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特大规模集成电路设计 |
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主要责任者:
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刘金 著 |
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主要责任者:
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库恩 著 |
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次要责任者:
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雷鑑铭 译 |